要生產晶圓,例如要生產太陽能晶圓產品,晶體需要從所謂的晶體生長爐(單晶爐、多晶爐)內的熔液拉出。
從熔液形成的晶體生長由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此,測量熔液的溫度很重要,同樣,測量加熱元件的溫度以準確控制過程也很重要。這二個溫度需要協調好,以確保晶體生長的優化。
德國DIAS紅外測溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長的測溫。主要可用的型號有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N,測溫范圍為350~2500°C,均為短波紅外測溫儀。根據晶體生長系統的型號,也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統,易于集成到現有控制系統中去。
在空間比較狹小的地方,推薦使用光纖紅外測溫儀。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列,測溫范圍600 ~ 1800 °C ,最小探頭光圈僅僅12 mm。此外,還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米直徑。從而,對這些溫度測量任務,選擇的紅外測溫儀光學系數,可以觀測和控制這些晶體生長過程。
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