非線性光學晶體
非線性晶體指有非線性光學效應的晶體,廣義指在強光或外場作用下能產生非線性光學效應的晶體。通常將強光作用下產生的稱為非線性光學晶體。立陶宛Optogama公司為基礎研究、應用研究和工業應用提供不同的非線性晶體。晶體生產技術有:Stepanov,Kyropoulos,CZ,溫度梯度法,通量法。目前能提供的晶體有以下9種:BBO,LBO,KTP, KDP,DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體。
KDP,DKDP晶體主要特點:
-優良的紫外線輻射傳輸
-高激光損傷閾值
-可根據要求提供定制晶體
KDP,DKDP晶體主要應用:
-Nd摻雜激光器的倍頻器、三倍頻器和四倍頻器
-Ti:藍寶石,綠寶石,Nd摻雜激光器的調Q開關
KDP,DKDP晶體技術特性:
化學公式 | KH2PO4 (KDP) | KD2PO4 (DKDP) |
晶體結構 | 四邊形,42m | 四邊形,42m |
晶格參數 | 負單軸(NO>Ne) | 負單軸(NO>Ne) |
密度 | 2.332克/cm3 | 2.355克/cm3 |
Mohs硬度 | 2.5 | 2.5 |
透光范圍 | 180 nm-1.5μm | 200 nm-2μm |
折射率@1,06μm | no=1.4938,ne = 1.4599 | no=1.4931,ne = 1.4582 |
KDP Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=2.259276+13.00522λ2/(λ)2-400)+0./(λ)2 - (77,26408)-1); ne2=2.132668+3.2279924λ2/(λ)2-400)+0.008637494/(λ)2 - (81.42631)2) | |
Sellmeier方程@T=293K(λinμm) | no2=2.240921+2.246956λ2/(λ)2 - (11.26591)2)+0.009676/(λ)2 - (0.124981)2); ne2=2.126019+0.784404λ2/(λ)2- (11.10871)2)+0.008578/(λ)2 - (0.109505)2) |
鈮酸鋰晶體主要特點:
-透光率范圍從420 nm到5200 nm
-高非線性電光和聲光系數
-非吸濕性,機械和化學穩定性。
鈮酸鋰晶體主要應用:
-電光調制與Q開關
-1064 nm泵浦光參量振蕩器
-周期極化鈮酸鋰準相位匹配器件)
鈮酸鋰晶體技術特性:
化學公式 | LiNbO3 |
晶體結構 | 三角形,3m |
光學對稱性 | 負單軸(N)o>ne) |
密度 | 4.64克/厘米3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 4 2 nm-5.2μm |
Sellmeier方程(λinμm) | no2=4.9048+0.11768/(λ)2-0.04750)-0.027169λ2; ne2=4,5820+0,099169/(λ)2-0.04443)-0.021950λ2 |
折射率@1064 nm | no=2.220,ne = 2.146 |
ZGP晶體的主要特點:
-有效傳輸范圍從2μm到12μm
-高非線性(D)36=下午75:00/V@96μm)
-相對較高的損傷閾值(>60 mW/cm2)
ZGP晶體的主要應用:
-用OPO和DFG技術產生中波、長波紅外連續可調諧輻射
-CO2和CO激光基波波長的諧波產生
-太赫茲距離頻率的產生
ZGP晶體的技術特性:
化學公式 | ZnGeP2 |
晶體結構 | 四邊形,42m |
晶格參數 | A=5.465 a,c=10.708 |
光學對稱性 | 正單軸(N)e>no) |
密度 | 4.162克/厘米3 |
Mohs硬度 | 5.5 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.74-12μm |
Sellmeier方程@0.54-12.9μm(λinμm) | no2=11.6413+0.69363/(λ)2 – 0.21967) + 1586.06/(λ)2 – 832.75); ne2=12.1438+0.75255/(λ)2 – 0.21913) + 2061.68/ |
折射率@10.5μm | no=3 0738,ne = 3,1137 |
導熱系數@T=293 K | 36(\x{e76f}c)-1K-1,35(⊥c)Wm-1K-1 |
激光損傷閾值 | 60兆瓦/厘米2@10.6μm,100 ns |
BBO晶體主要特點:
-寬透光率范圍從188 nm~5.2μm(合適的透明度@3μm-5.2μm,幾十μm厚的晶體)
-在幾乎整個透明范圍內各種二階非線性相互作用的寬相位匹配范圍
-寬熱接收帶寬
-所有紫外非線性晶體中的非線性
-高激光損傷閾值
-超薄晶體可用于超快(<10 fs)的應用
-可根據要求提供定制晶體
BBO晶體主要應用:
-脈沖摻雜Nd的激光晶體的諧波產生(最多五分之一)
-脈沖摻Yb鈦晶體染料激光器的倍頻、三倍頻
-廣泛可調的I型和II型光學參量振蕩器
-通過FROG,XFROG,SPIDER,色散掃描,線性調頻掃描方法表征超短激光脈沖
BBO晶體技術特性:
化學公式 | β-Bab2O4 |
晶體結構 | 菱形,3m |
晶格參數 | A=12,532 a,c=12,717 |
光學對稱性 | 負單軸(N)o>ne) |
密度 | 3,85克/厘米3 |
Mohs硬度 | 4 - 4,5 |
透光范圍 | 188 nm-5.2um,對于薄晶體,合理范圍為3~5.2μm(極少數10μm)。 |
色散方程@188 nm-5.2m(λ(M)) | no2=1+0.90291λ2/(λ)2-0,003926)+0.83155λ2/(λ)2-0,018786)+0.76536λ2/(λ)2 – 60.01); |
折射率@1064 nm | no=1.6551;ne = 1.5426 |
LBO晶體主要特點:
-寬透光率范圍從155 nm到3200 nm。
-無光致變色損傷(灰色跟蹤)
-常見非線性晶體中的損傷閾值
-室溫下的偏離角小,非關鍵相位匹配(NCPM)時沒有偏離角
-溫度可調的I型和II型非臨界相位匹配
-可根據要求提供超拋光和定制晶體。
LBO晶體主要應用:
-和頻產生532 nm和1064 nm以產生355 nm UV輻射
-Nd摻雜激光器的二次諧波激發的NIR范圍內的可調諧OPO
-在1064 nm處有效產生二次諧波而無偏離效應(NCPM,T = 149?C)
LBO晶體技術特性:
單晶 | LiB3O5 |
晶體結構 | 斜方晶,mm2 |
晶格參數 | a = 8.46?,b = 7.38?,c = 12.717? |
光學對稱性 | 負雙軸(2 Vz=109.2°@0.5321μm) |
密度 | 2.474克/厘米3 |
Mohs硬度 | 6-7 |
透光率范圍 | 155 nm-3.2μm@“0”透過率水平 |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | nX2=2,4542+0.01125/(λ)2-0.01135)-0.01388λ2; |
折射率@1064 nm | nX=1 5656;nY=1 5905;nZ = 1,6055 |
KTP晶體的主要特點:
-高度非線性
-非吸濕
-機械穩定性
-寬透光率范圍從350 nm到4,5μm
-寬角度和熱接收度
-寬的I型和II型非臨界相位匹配范圍
KTP晶體的主要應用:
-摻釹激光器的中、低功率倍頻
-用于中紅外產生的KTP OPO和ZGP OPO串列
KTP晶體的技術特性:
化學公式 | KTiOPO4 |
晶體結構 | 正交的,mm2 |
晶格參數 | A=12.814,b=6.404,c=10.616 |
光學對稱性 | 正雙軸(2VZ=37,4°@0,5461μm) |
密度 | 2,945克/立方米 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 350 nm-4.5μm@“0”透過率水平 |
色散方程@188 nm-5.2m(λ(M)) | nX2=3.0067+0.0395/(λ)2-0.04251)-0.01247λ2; |
折射率@1064 nm | nX=1.7404;nY=1.7479;nZ = 1.8296 |
硒酸銀晶體主要特點:
-優良的傳輸范圍從0.73到18μm
-低光吸收和低散射
-高FOM(品質因數),用于NIR和MIR中的非線性相互作用
AgGaSe 2晶體主要應用:
- 4.0~18.3μm紅外區的頻率混合
-CO2激光器的二次諧波產生與上轉換
-效率達到10%的固體激光器的可調諧OPO
AgGaSe 2晶體技術特性:
化學公式 | AgGaSe2 |
晶體結構 | 四邊形,42m |
晶格參數 | A=5.9920,c=10.8803 |
光學對稱性 | 負單軸(NO>Ne,λ<804 nm Ne>NO) |
密度 | 5.7克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3-3.5 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.71-19μm |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2 |
折射率@10.5μm | no=2.5917,ne = 2.5585 |
導熱系數@T=293 K | 1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1 |
激光損傷閾值 | >10兆瓦/cm2@10.6μm,150 ns |
硫鎵銀晶體主要特點:
-傳輸范圍為0.5到12μm的非線性特性
-低光吸收和低散射
-短波長透光。
AgGaS2晶體主要應用:
-4.0~18.3μm中紅外區的頻率混合
-CO的二次諧波產生與上轉換2雷射
-固體激光器的可調諧OPO
AgGaS2晶體技術特性:
化學公式 | AgGaS2 |
晶體結構 | 四邊形,42m |
晶格參數 | A=5.742,c=10.26 |
光學對稱性 | 負單軸(N)o>ne,λ<0,497μmne>no) |
密度 | 4.58克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3-3.5 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.47-13μm |
Sellmeier方程@0,54-12,9μm(λinμm) | no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6; ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6 |
折射率@10.6321μm | no=2.3471,ne = 2.2914 |
導熱系數@T=293 K | 1.4(\x{e76f}c)-1K-1,1.5(⊥c)Wm-1K-1 |
CdSe晶體的主要特點:
-寬透光度范圍(0.7-24μm)
-很大的非線性(d31 = 18 pm/V)
-小離場角
硒化鎘晶體的主要應用:
- DFG,OPO方案產生的長紅外波長紅外輻射
-紅外光學元件的材料:基板,偏振片,波片等。
硒化鎘晶體的技術特性:
化學公式 | CdSe |
晶體結構 | 六角,6毫米 |
晶格參數 | A=4.2985,c=7.0150 |
光學對稱性 | 正單軸(N)e>no) |
密度@288 K | 5.81克/厘米3 |
Mohs硬度 | 3.25 |
透明度范圍@“0”透過率水平 | 0.7-24μm |
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) | no2=4.2243+1.7680λ2/(λ)2-0.2270)+3.1200λ2/ (λ)2 - 3380); |
折射率@10,0μm | no=2.431,ne = 2.452 |
導熱系數@T=293 K | 6.9(\x{e76f}c)-1K-1.6,2(⊥c)Wm-1K-1 |
激光損傷閾值 | 60兆瓦/厘米2@10.6μm,200 ns |