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BBO,LBO,KTP, KDP,DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體

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  • 公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
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  • 廠商性質其他
  • 更新時間2024/2/29 16:19:01
  • 訪問次數193
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深圳維爾克斯光電有限公司是的進口光電代理商,代理的激光、光電、光機械類產品,應用涵蓋物理與光學、化學、材料、生命科學等領域。我們與國內各大高校、研究所、激光設備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯系,提供針對不同應用的專業技術支持。 維爾克斯光電在衍射光學、微光學、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺、紅外熱像儀、電控平移臺、紅外探測器、光學儀器等領域具有多年的產品和技術積累,能夠為用戶提供各種高性價比的解決方案。
非線性光學晶體用于許多不同的非線性參數應用中。比如二次諧波產生,差頻產生,光參量放大等。必須選擇適當的晶體才能將其用于特定應用。它應具有:在所需光譜范圍內的透明度,足夠的雙折射以進行相位匹配,高非線性系數,高光學損傷閾值。Optogama目前提供以下非線性晶體:BBO,LBO,KTP, KDP,DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, G......
BBO,LBO,KTP, KDP,DKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體 產品信息


非線性光學晶體


非線性晶體指有非線性光學效應的晶體,廣義指在強光或外場作用下能產生非線性光學效應的晶體。通常將強光作用下產生的稱為非線性光學晶體。立陶宛Optogama公司為基礎研究、應用研究和工業應用提供不同的非線性晶體。晶體生產技術有:StepanovKyropoulosCZ,溫度梯度法,通量法。目前能提供的晶體有以下9種:BBOLBOKTP, KDPDKDP, ZGP, Lithium niobate, AgGaSe2, CdSe, AgGaS2, GaSe晶體。

 

KDPDKDP晶體主要特點:

-優良的紫外線輻射傳輸

-高激光損傷閾值

-可根據要求提供定制晶體


KDPDKDP晶體主要應用:

       -Nd摻雜激光器的倍頻器、三倍頻器和四倍頻器

-Ti:藍寶石,綠寶石,Nd摻雜激光器的調Q開關

 

KDPDKDP晶體技術特性:

化學公式

KH2PO(KDP)

KD2PO4 (DKDP)

晶體結構

四邊形,42m

四邊形,42m

晶格參數

負單軸(NO>Ne)

負單軸(NO>Ne)

密度

2.332/cm3

2.355/cm3

Mohs硬度

2.5

2.5

透光范圍

180 nm-1.5μm

200 nm-2μm

折射率@106μm

no=1.4938ne = 1.4599

no=1.4931ne = 1.4582

KDP Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)

no2=2.259276+13.00522λ2/(λ)2-400)+0./(λ)2 - (77,26408)-1); ne2=2.132668+3.2279924λ2/(λ)2-400)+0.008637494/(λ)2 - (81.42631)2)

Sellmeier方程@T=293K(λinμm)

no2=2.240921+2.246956λ2/(λ)2 - (11.26591)2)+0.009676/(λ)2 - (0.124981)2); ne2=2.126019+0.784404λ2/(λ)2- (11.10871)2)+0.008578/(λ)2 - (0.109505)2)

   

鈮酸鋰晶體主要特點:

-透光率范圍從420 nm5200 nm

-高非線性電光和聲光系數

-非吸濕性,機械和化學穩定性。

 

鈮酸鋰晶體主要應用:

-電光調制與Q開關

-1064 nm泵浦光參量振蕩器

-周期極化鈮酸鋰準相位匹配器件)

 

鈮酸鋰晶體技術特性:

化學公式

LiNbO3

晶體結構

三角形,3m

光學對稱性

負單軸(N)o>ne)

密度

4.64/厘米3

Mohs硬度

5

透明度范圍

4 2 nm-5.2μm

Sellmeier方程(λinμm)

no2=4.9048+0.11768/(λ)2-0.04750)-0.027169λ2;  ne2=45820+0099169/(λ)2-0.04443)-0.021950λ2

折射率@1064 nm

no=2.220ne = 2.146

 

ZGP晶體的主要特點:

-有效傳輸范圍從2μm12μm

-高非線性(D)36=下午7500/V@96μm)

-相對較高的損傷閾值(>60 mW/cm2)

 

ZGP晶體的主要應用:

-用OPODFG技術產生中波、長波紅外連續可調諧輻射

-CO2和CO激光基波波長的諧波產生

-太赫茲距離頻率的產生

 

ZGP晶體的技術特性:

化學公式

ZnGeP2

晶體結構

四邊形,42m

晶格參數

A=5.465 ac=10.708

光學對稱性

正單軸(N)e>no)

密度

4.162/厘米3

Mohs硬度

5.5

透明度范圍@“0”透過率水平

0.74-12μm

Sellmeier方程@0.54-12.9μm(λinμm)

no2=11.6413+0.69363/(λ)2 – 0.21967) + 1586.06/(λ)2 – 832.75);          ne2=12.1438+0.75255/(λ)2 – 0.21913) + 2061.68/
(λ)2 – 951.07)

折射率@10.5μm

no=3 0738ne = 3,1137

導熱系數@T=293 K

36(\x{e76f}c)-1K-135(⊥c)Wm-1K-1

激光損傷閾值

60兆瓦/厘米2@10.6μm100 ns


BBO晶體主要特點:

-寬透光率范圍從188 nm5.2μm(合適的透明度@3μm-5.2μm,幾十μm厚的晶體)

-在幾乎整個透明范圍內各種二階非線性相互作用的寬相位匹配范圍

-寬熱接收帶寬

-所有紫外非線性晶體中的非線性

-高激光損傷閾值

-超薄晶體可用于超快(<10 fs)的應用

-可根據要求提供定制晶體

 

BBO晶體主要應用:

       -脈沖摻雜Nd的激光晶體的諧波產生(最多五分之一)

       -脈沖摻Yb鈦晶體染料激光器的倍頻、三倍頻

       -廣泛可調的I型和II型光學參量振蕩器

       -通過FROGXFROGSPIDER,色散掃描,線性調頻掃描方法表征超短激光脈沖

 

BBO晶體技術特性:

化學公式

β-Bab2O4

晶體結構

菱形,3m

晶格參數

A=12532 ac=12717

光學對稱性

負單軸(N)o>ne)

密度

385/厘米3

Mohs硬度

4 - 4,5

透光范圍

188 nm-5.2um,對于薄晶體,合理范圍為3~5.2μm(極少數10μm)

色散方程@188 nm-5.2m(λ(M))

no2=1+0.90291λ2/(λ)2-0003926)+0.83155λ2/(λ)2-0018786)+0.76536λ2/(λ)2 – 60.01);

折射率@1064 nm

no=1.6551ne = 1.5426

  

LBO晶體主要特點:

-寬透光率范圍從155 nm3200 nm

-無光致變色損傷(灰色跟蹤)

-常見非線性晶體中的損傷閾值

-室溫下的偏離角小,非關鍵相位匹配(NCPM)時沒有偏離角

-溫度可調的I型和II型非臨界相位匹配

-可根據要求提供超拋光和定制晶體。

 

LBO晶體主要應用:

  -和頻產生532 nm1064 nm以產生355 nm UV輻射

  -Nd摻雜激光器的二次諧波激發的NIR范圍內的可調諧OPO

  -在1064 nm處有效產生二次諧波而無偏離效應(NCPMT = 149?C

LBO晶體技術特性:

 

單晶

LiB3O5

晶體結構

斜方晶,mm2

晶格參數

a = 8.46?b = 7.38?c = 12.717?

光學對稱性

負雙軸(2 Vz=109.2°@0.5321μm)

密度

2.474/厘米3

Mohs硬度

6-7

透光率范圍

155 nm-3.2μm@“0”透過率水平

Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)

nX2=24542+0.01125/(λ)2-0.01135)-0.01388λ2;

折射率@1064 nm

nX=1 5656nY=1 5905nZ = 1,6055

  

KTP晶體的主要特點:

-高度非線性

-非吸濕

-機械穩定性

-寬透光率范圍從350 nm45μm

-寬角度和熱接收度

-寬的I型和II型非臨界相位匹配范圍

 

KTP晶體的主要應用:

-摻釹激光器的中、低功率倍頻

-用于中紅外產生的KTP OPOZGP OPO串列

 

KTP晶體的技術特性:

化學公式

KTiOPO4

晶體結構

正交的,mm2

晶格參數

A=12.814b=6.404c=10.616

光學對稱性

正雙軸(2VZ=374°@05461μm)

密度

2945/立方米

Mohs硬度

5

透明度范圍

350 nm-4.5μm@“0”透過率水平

色散方程@188 nm-5.2m(λ(M))

nX2=3.0067+0.0395/(λ)2-0.04251)-0.01247λ2;

折射率@1064 nm

nX=1.7404nY=1.7479nZ = 1.8296

 

硒酸銀晶體主要特點:

-優良的傳輸范圍從0.7318μm

-低光吸收和低散射

-高FOM(品質因數),用于NIRMIR中的非線性相互作用

 

AgGaSe 2晶體主要應用:

       - 4.0~18.3μm紅外區的頻率混合

-CO2激光器的二次諧波產生與上轉換

-效率達到10%的固體激光器的可調諧OPO

 

AgGaSe 2晶體技術特性:

化學公式

AgGaSe2

晶體結構

四邊形,42m

晶格參數

A=5.9920c=10.8803

光學對稱性

負單軸(NO>Neλ<804 nm Ne>NO)

密度

5.7/厘米3

Mohs硬度

3-3.5

透明度范圍@“0”透過率水平

0.71-19μm

Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)

no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2

折射率@10.5μm

no=2.5917ne = 2.5585

導熱系數@T=293 K

1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1

激光損傷閾值

>10兆瓦/cm2@10.6μm150 ns

 

硫鎵銀晶體主要特點:

-傳輸范圍為0.512μm的非線性特性

-低光吸收和低散射

-短波長透光。

 

AgGaS2晶體主要應用:

-4.0~18.3μm中紅外區的頻率混合

-CO的二次諧波產生與上轉換2雷射

-固體激光器的可調諧OPO

 

AgGaS2晶體技術特性:

化學公式

AgGaS2

晶體結構

四邊形,42m

晶格參數

A=5.742c=10.26

光學對稱性

負單軸(N)o>neλ<0497μmne>no)

密度

4.58/厘米3

Mohs硬度

3-3.5

透明度范圍@“0”透過率水平

0.47-13μm

Sellmeier方程@054-129μm(λinμm)

no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6;

ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6

折射率@10.6321μm

no=2.3471ne = 2.2914

導熱系數@T=293 K

1.4(\x{e76f}c)-1K-11.5(⊥c)Wm-1K-1

  

CdSe晶體的主要特點:

-寬透光度范圍(0.7-24μm)

-很大的非線性(d31 = 18 pm/V)

-小離場角

 

硒化鎘晶體的主要應用:

- DFG,OPO方案產生的長紅外波長紅外輻射

-紅外光學元件的材料:基板,偏振片,波片等。

 

硒化鎘晶體的技術特性:

化學公式

CdSe

晶體結構

六角,6毫米

晶格參數

A=4.2985c=7.0150

光學對稱性

正單軸(N)e>no)

密度@288 K

5.81/厘米3

Mohs硬度

3.25

透明度范圍@“0”透過率水平

0.7-24μm

Sellmeier方程@T=293 K(λinμm)

no2=4.2243+1.7680λ2/(λ)2-0.2270)+3.1200λ2/ (λ)2 - 3380);
ne2=4.2009+1.8875λ2/(λ)2-0.2171)+3.6461λ2/ (λ)2 - 3629)

折射率@100μm

no=2.431ne = 2.452

導熱系數@T=293 K

6.9(\x{e76f}c)-1K-1.62(⊥c)Wm-1K-1

激光損傷閾值

60兆瓦/厘米2@10.6μm200 ns

 



關鍵詞:振蕩器
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