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Plasma 2000 ICP光譜儀

參考價面議
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱鋼研納克檢測技術股份有限公司
  • 品       牌
  • 型       號Plasma2000
  • 所  在  地
  • 廠商性質生產廠家
  • 更新時間2023/8/24 14:24:23
  • 訪問次數368
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 鋼研納克檢測技術股份有限公司(代碼:300797)是企業中國鋼研科技集團有限公司(鋼鐵研究總院)的二級單位,專業從事分析儀器裝備和分析檢測技術的研究、開發和應用的*創新型企業。目前公司提供的主要服務或產品包括分析檢測儀器、第三方檢測服務、標準物質/標準樣品、能力驗證服務等檢測相關產品與延伸服務。鋼研納克不僅是中國分析儀器設備制造的企業,也是國內元素檢測領域儀器種類、綜合實力的儀器裝備和分析測試技術的研究機構之一。依托國家鋼鐵材料測試中心和儀器產業基地,公司及子公司牽頭制修訂7項國際標準、參與制修訂國際標準20余項、制定170余項國家及行業標準;研制家級標準物質/標準樣品300多種。力爭成為測試儀器裝備領域有影響力的國際競爭參與者、成為具有國際影響力的材料表征評價認證的機構和綜合解決方案的提供者。鋼研納克分析儀器產品主要包含:直讀光譜儀、碳硫分析儀、氧氮氫分析儀、ICP光譜儀、ICP-MS、土壤重金屬檢測儀、食品重金屬檢測儀、波長色散X射線熒光光譜儀、金屬原位分析儀、脈沖熔融-飛行時間質譜儀、試驗機、環保監測設備等技術水平*的檢測裝備,其中多款儀器國內外空白(屬臺套)。產品質量穩定,檢測數據可靠,累計排名國內,部分產品成為同類產品的業界,牽頭制定了相關儀器和檢測標準。 鋼研納克分析儀器發展歷程1952年 鋼研納克起源于建國初期成立的鋼鐵研究總院1956年 鋼鐵研究總院測試所儀器組成立,鋼研納克儀器產業起步1977年 鋼研納克研發了一臺真空熔融氣體分析儀1991年 一臺脈沖紅外定氧儀在這里誕生,儀器產業化發展正式起步2001年 注冊成立“北京納克分析儀器有限公司”,儀器板塊進入快速發展軌道2003年 牽頭“十五”國家科技攻關計劃重大項目《科學儀器研制與開發》2006年 鋼研納克推出高品質國產火花直讀光譜儀,打破國外近半個世紀的壟斷2009年 鋼研納克單掃描ICP光譜儀實現量產,ICP產品進入產業化發展階段2011年 牽頭承擔國家重大科學儀器專項《ICP痕量分析儀器的研制》2014年 直讀光譜儀(Labspark1000)榮獲首屆“國產好儀器”稱號2014年 氧氮氫分析儀(ONH-3000)、碳硫分析儀(CS-3000G)榮獲“國產好儀器”稱號2015年 電感耦合等離子體質譜儀(PlasmaMS 300)獲得國產儀器獎BCEIA金獎2015年 食品重金屬檢測儀(NX-100F)獲得國產儀器獎BCEIA金獎2017年 直讀光譜儀(SparkCCD 6000)獲得國產儀器獎BCEIA金獎2019年 ICP光譜儀(Plasma 3000)獲得國產儀器獎BCEIA金獎
直讀光譜儀、碳硫分析儀、氧氮氫分析儀、ICP光譜儀、ICP-MS、土壤重金屬檢測儀、食品重金屬檢測儀、波長色散X射線熒光光譜儀、金屬原位分析儀、脈沖熔融-飛行時間質譜儀、試驗機、環保監測設備
Plasma 2000 ICP光譜儀
Plasma 2000 ICP光譜儀 產品信息

穩健高效的全固態光源

    全固態射頻發生器,體積小、效率高,全自動負載匹配,速度快、精度高,能適應各種復雜基體樣品及揮發性有機溶劑的測試,具有優異的長期穩定性。

    垂直炬管的設計,具有更好的樣品耐受性,減少了清潔需求,降低了備用炬管的消耗。

    簡潔的炬管安裝定位設計,快速定位,精確的位置重現。 

    實時監控儀器運行參數,高性能CAN工業現場總線,保障通訊高效可靠。

 

精密的光學系統

中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構,使用超純SiO2棱鏡,高光路傳輸效率,保證了深紫外區的元素測量。

    優化的光學設計,采用非球面光學元件,改善成像質量,提高光譜采集效率。

光室多點充氣技術,縮短光室充氣時間,提高紫外光譜靈敏度及穩定性,開機即可測量。

光室氣路獨立,可充氮氣或氬氣。

      包圍式立體控溫系統,保障光學系統長期穩定無漂移。

 

進樣系統

儀器配備系列經過優化的進樣系統,可用于有機溶劑、高鹽/復雜基體樣品、含氫氟酸等樣品的測試。

使用一體式炬管,易于維護,轉換快速,使用成本低。

使用質量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量,流量連續可調,保障測試性能長期穩定。

4通道12滾輪蠕動泵,泵速連續可調,確保樣品導入穩定性。

   

檢測器

大面積背照式CCD檢測器, 全譜段響應,高紫外量子化效率,抗飽和溢出

具有極寬的動態范圍和極快的信號處理速度

一次曝光,完成全譜光譜信號的采集讀取,獲得更為快速、準確的分析結果

同類產品中靶面尺寸,百萬級像素,單像素面積24μm X 24μm

三級半導體制冷,制冷溫度低于-35,具有更低的噪聲和更好的穩定性


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