1、可測定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦 基，鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍，可根據(jù)客戶需要選擇通道元素；

2、分析速度快捷，20秒內(nèi)測完所有通道的元素成分。針對不同的分析材料，通過設(shè)置預(yù)燃時(shí)間及標(biāo)線，使儀器用短的時(shí)間達(dá)到優(yōu)的分析效果；

3、光學(xué)系統(tǒng)采用非真空恒溫光室， 激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導(dǎo)入真空光室，實(shí)現(xiàn)光路直通,消除了光路損耗，提高檢出限，測定結(jié)果準(zhǔn)確，重現(xiàn)性及長期穩(wěn)定性；

4、特殊的光室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使真空室容積更小，抽真空速度不到普通光譜儀的一半；

5、自動(dòng)光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線，與原存儲(chǔ)線進(jìn)行對比，確定漂移位置，找出分析線當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測定；

6、開放式的電極架設(shè)計(jì)，可以調(diào)整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；

7、工作曲線采用國際標(biāo)樣，預(yù)做工作曲線，可根據(jù)需要延伸及擴(kuò)展范圍，每條曲線由多達(dá)幾十塊標(biāo)樣激發(fā)生成，自動(dòng)扣除干擾；

8、HEPS固態(tài)光源，適應(yīng)各種不同材料 ；

9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對光室的污染，提高長期運(yùn)行穩(wěn)定性；

10、銅火花臺(tái)底座，提高散熱性及堅(jiān)固性能；

11、合理的氬氣氣路設(shè)計(jì)，使樣品激發(fā)時(shí)氬氣沖洗時(shí)間縮短，為用戶節(jié)省氬氣，氬氣消耗不到普通光譜儀的一半；

12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長，并設(shè)計(jì)了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；

13、高性能DSP及ARM處理器，具有超高速數(shù)據(jù)采集及控制功能并自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊的運(yùn)行狀況；

14、儀器與計(jì)算機(jī)之間采用以太網(wǎng)連接，抗干擾性能好，外部計(jì)算機(jī)升級與儀器配置無關(guān)，使儀器具有更好的適用性；

15核心器件全部，保證了儀器的品質(zhì)。 產(chǎn)品參數(shù)指標(biāo)： 光學(xué)系統(tǒng) 光學(xué)結(jié)構(gòu) 帕邢-龍格結(jié)構(gòu)的全譜真空型光學(xué)系統(tǒng) 光室溫度 自動(dòng)控制恒溫：35℃±0.5℃ 波長范圍 160-800nm 光柵焦距 350 mm 光柵刻線 2160 l/mm 一級光譜線色散率 1.2 nm/mm 探測器 多塊高性能線陣CCD 平均分辨率 10pm/pixel 激發(fā)臺(tái) 氣 體 沖氬式 氬氣流量 激發(fā)時(shí)3-5L/min， 待機(jī)時(shí):無須待機(jī)流量 電 極 鎢材噴射電極技術(shù) 吹 掃 點(diǎn)擊自吹掃功能 補(bǔ) 償 熱變形自補(bǔ)償設(shè)計(jì) 分析間隙 樣品臺(tái)分析間隙：4mm 激發(fā)光源 類 型 HEPS固態(tài)光源 頻 率 100-1000Hz 放電電流 1-80A 特殊技術(shù) 放電參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì) 預(yù) 燃 高能預(yù)燃技術(shù) 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) 處理器 ARM處理器，高速數(shù)據(jù)同步采集處理 接 口 基于DM9000A的以太數(shù)據(jù)傳輸 電源與環(huán)境要求 輸 入 220VAC 50Hz 功 率 分析時(shí)大700W，待機(jī)狀態(tài)40W 工作溫度 10-30℃（該溫度范圍內(nèi)溫度變化不大于5℃/h） 工作濕度 20-80% 尺寸與重量 主機(jī)尺寸 800*750*500 mm 重 量 130Kg