型號:OTF-1200X-III-HPCVD-SE
產(chǎn)品概述:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化學(xué)混合氣相沉積)系統(tǒng),帶有的原料推進(jìn)系統(tǒng)和1350℃原位蒸發(fā)槍。原料推進(jìn)系統(tǒng)和同時/依次將3種反應(yīng)原料推入到爐管中(可設(shè)定推入位置和推進(jìn)速度),以達(dá)到適合的蒸發(fā)溫度。溫度可控型原位蒸發(fā)槍,溫度可達(dá)1350℃,也可多固體原料原位蒸發(fā)。所以此系統(tǒng)可對4種固體或液體源供蒸發(fā)。此設(shè)備適合各種HPCVD實驗,特別適用于制備多層二維晶體材料。操作面板為PLC觸摸屏,用戶可設(shè)置進(jìn)料速度,進(jìn)料位置及實時監(jiān)測蒸發(fā)原料的溫度。
爐體結(jié)構(gòu) | 的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中(并可實時監(jiān)測其溫度),溫度可控型原位蒸發(fā)槍,溫度可達(dá)1350℃,適合用HPCVD法生長多層膜
·爐體為三溫區(qū)開啟式管式爐,由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制每個溫區(qū),其控溫精度可達(dá)±0.1℃
·雙層殼體結(jié)構(gòu),并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)
·采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,表面涂有高溫氧化鋁涂層,可提高加熱效率,和延長使用壽命
·爐體開啟式設(shè)計,便于跟換爐管,并且?guī)в虚_啟斷電功能,保證操作安全
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電源要求 | ·單相208~240VAC
·功率9KW(需60A的空氣開關(guān)) |
加熱區(qū) | ·三個加熱區(qū),每個加熱區(qū)長度:300mm
·總加熱區(qū)長度:900mm |
恒溫區(qū) | 恒溫區(qū)長度:625mm(±2℃)
(三個溫區(qū)設(shè)置同樣的加熱溫度) |
工作溫度 | ·工作溫度:1200℃(<1hr)
·連續(xù)工作溫度:100~1100℃ |
升溫速率 | ≤ 10°C /min |
原料推進(jìn)系統(tǒng)&蒸發(fā)槍 | 的原料推進(jìn)系統(tǒng)可在真空或氣氛保護(hù)環(huán)境下同時/依次推進(jìn)3種原料進(jìn)入到管式爐中(并可實時監(jiān)測其溫度),利用推送系統(tǒng)可將3個不同蒸發(fā)源同時/依次送入3個獨立的小石英管中,精確地找到所需溫度,保證實驗精確性和重復(fù)性
·蒸發(fā)槍:采用鎢線圈加熱,氧化鋁坩堝裝料,其溫度可達(dá)1350℃,控溫精度±1℃
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坩堝移動控制 | ·坩堝的移動速度和移動距離通過步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動,可設(shè)定控制
·移動距離: 530mm (精度1mm) |
沉積樣品臺 | ·特殊設(shè)計樣品臺,帶有手動遮擋板,放置原料交替試導(dǎo)致所制備樣品污染
·可手動調(diào)節(jié)樣品臺在爐管中的位置
·可選擇水平樣品臺,或傾斜式樣品臺
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溫度控制系統(tǒng) | ·三個溫區(qū)由三個獨立的溫控系統(tǒng)控制,采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可設(shè)置30段升降溫程序
·歐陸儀表控制,控溫精度可達(dá)±0.1℃
·帶有超溫和斷偶報警
·三個K型熱偶(每個溫區(qū)1個)
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管式爐配置 | ·爐管,采用高純石英管,尺寸為Φ130(外)mm×Φ122(內(nèi))mm×1200mm(長)
·配有2個氧化鋁管堵,防止熱輻射(加熱前管堵必須放入到爐管內(nèi))
·可選購石英管堵,保證反應(yīng)環(huán)境潔凈
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真空計 | ·防腐型復(fù)合真空計(皮拉尼和隔膜規(guī))
·測量范圍:3.8E-5 ~ 1125 torr |
真空泵&真空度 | ·真空度:10E-2 torr(采用機(jī)械泵),10-E5 torr(采用分子泵)
可在本公司選用各種真空泵 |
氣體流量控制系統(tǒng) | 配有4通道氣體流量控制系統(tǒng),采用觸摸屏設(shè)定參數(shù)
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循環(huán)水冷機(jī) | 設(shè)備采用水冷不銹鋼密封法蘭,所以配有循環(huán)水冷機(jī)
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設(shè)備尺寸 | 4000×600×1500m
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質(zhì)量認(rèn)證 | ·CE認(rèn)證
·所有電器元件(≧24V)都通過了UL/MET/CSA認(rèn)證
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