原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備
現(xiàn)場升級到可使用等離子體
從小晶片到200mm大晶片
適用于學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學(xué)產(chǎn)品,可用于:
氧化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物:TiN, Si3N4
金屬: Ru, Pt
ALD應(yīng)用舉例:
納米電子學(xué)
高k柵極氧化物
存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴散勢壘區(qū)
有機發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層
鈍化晶體硅太陽能電池
應(yīng)用于微流體和MEMS的高保形涂層
納米孔結(jié)構(gòu)的涂層
生物微機電系統(tǒng)
燃料電池
直觀性強的的軟件提高性能
使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產(chǎn)品家族相同的軟件平臺, OpAL的程序驅(qū)動、多用戶級別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應(yīng)修改。
原子層沉積表面改造提升處理系統(tǒng)設(shè)備
牛津儀器向世界范圍內(nèi)的生產(chǎn)商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經(jīng)驗為我們提供了世界上強大沉積工藝庫和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術(shù)可以提供的一些沉積工藝的一個范例。討論您的特定需求,我們專業(yè)的銷售和應(yīng)用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具,以滿足您的需求。
電介質(zhì)
沉積SiO2—沉積二氧化硅
沉積SiN—沉積氮化硅
二氧化硅(SiO2)的反應(yīng)離子束濺射沉積(RIBD)技術(shù)
金屬氮化物
沉積HfN—沉積氮化鉿(遠程等離子體*輔助)
金屬氧化物
沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁
高品質(zhì)光學(xué)鍍膜:二氧化硅,五氧化二鉭
二氧化鉿反應(yīng)離子束沉積(HfO2 RIBD)
沉積La2O3—沉積氧化鑭
離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition
沉積TiO2—沉積—離子束沉積
ZnO ALD(單熱型)—沉積氧化鋅原子層
沉積ITO—沉積銦錫氧化物—磁控濺射
金屬
濺射沉積Al—濺射沉積鋁
沉積Ru—沉積釕
其他
沉積a-Si—沉積非晶硅(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)
等離子體增強化學(xué)氣相沉積和化學(xué)氣相沉積SiGe—沉積鍺硅
沉積PolySi—沉積多晶硅
沉積SiC—沉積碳化硅
等離子體增強化學(xué)氣相沉積DLC—沉積類金剛石膜