等離子體納米表面處理升級系統(tǒng)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
等離子源采用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器，同時(shí)具備物理清洗和化學(xué)清洗能力。
電源功率為200W，覆蓋常規(guī)處理需求
創(chuàng)新設(shè)計(jì)，可調(diào)整電極之間距離，調(diào)整等離子體濃度和強(qiáng)度，大提升處理效率和能力
真空腔體和管道連接件均采用316不銹鋼，電極6061空鋁合金，配件材質(zhì)精良，保證設(shè)備穩(wěn)定高效運(yùn)行
樣品處理面積可達(dá)125mm（大處理面積可達(dá)200mm，如有需求請咨詢銷售人員）
4.3寸工業(yè)級觸摸屏，操作簡單，可設(shè)置多種實(shí)驗(yàn)參數(shù)
性能穩(wěn)定可靠，質(zhì)量穩(wěn)定，自主研發(fā)，售后有保障
等離子體納米表面處理升級系統(tǒng)
產(chǎn)品參數(shù):
1. 真空腔規(guī)格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
2. 電極：兩個(gè)自適應(yīng)平板電極，材質(zhì)T6061鋁合金
3. 電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(diào)
4. 等離子體發(fā)生器：RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz
5. 功率：0-200W連續(xù)可調(diào)，精度1W
6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標(biāo)配1路氣體
7. 控制方式：4.3寸工業(yè)控制觸摸屏
控制軟件功能：界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài)，
可顯示設(shè)置值與實(shí)際值，便于實(shí)時(shí)控制。
可自由設(shè)置等離子功率，通入氣體時(shí)間
全手動控制和全自動控制可選
8. 保護(hù)裝置：一鍵急停保護(hù)按鈕
等離子體表面處理系統(tǒng)Pluto-M參數(shù)(標(biāo)準(zhǔn)配置)
外部尺寸
404*640*515mm
真空腔尺寸
直徑210mm*230mm
不銹鋼腔體
電極尺寸
125*125mm
多空自適應(yīng)平板電極
等離子體發(fā)生器
RF射頻發(fā)生器，頻率：13.56MHz
自適應(yīng)阻抗匹配電源
功率
0-200W連續(xù)可調(diào)
精度1W
真空計(jì)
熱電偶真空計(jì) 0-1000mT
供氣
1路氣體
6mm國標(biāo)連接件（軟管）
控制方式
4.3寸觸摸屏
可 選 配 置
ALC
純鋁腔體
RF-300
等離子體發(fā)生器
頻率13.56MHz ，0-300W自動阻抗匹配電源
可調(diào)電極
可調(diào)節(jié)電極間距
電極間距20-60mm可調(diào)，改變等離子體場濃度特性
CM裝置
沉積鍍膜模塊
用于改變表面特性：
1. 沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性
2. 沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性
3. 沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結(jié)合效果。
GP裝置
氣體純化裝置
PPU
粉體處理裝置
用于處理微納米級別顆粒
氣體收集裝置
用于收集等離子體化學(xué)反應(yīng)后的氣體
小型氧氣發(fā)生器
用于制備氧氣，可取代氧氣罐
氣體混合裝置
可以根據(jù)可以要求進(jìn)行混氣設(shè)計(jì)
感應(yīng)耦合模塊
感應(yīng)耦合等離子體裝置
加熱電極模塊
電極可以加熱，室溫~200度可調(diào)。
光譜儀模塊
可以增加光譜儀的接口，檢測等離子體光譜變化
電極轉(zhuǎn)換模塊
可以自由變換電極設(shè)計(jì)，樣品可以放在射頻電極上，也可以放在地電極上。從而實(shí)現(xiàn)不同的處理效果。
